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海飞乐技术有限公司

快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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高低压P沟道MOSFET场效应管选型

发布时间:2019-10-25 15:09:37       返回列表
  海飞乐技术目前产品范围包括有:MOS管、MOS模块、快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、碳化硅二极管、IGBT等,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴小姐,期待与您的合作! 

海飞乐技术高低压P沟道MOSFET场效应管现货选型
Voltage (V) Current (A) Rdson (Ohm) Package 应用领域
TYP MAX
-20 -2.8 90m 112m SOT-23 逆变、保护、信号、小电机
-20 -4.1 40m 52m SOT-23  
-20 -5 40m 52m SOT-23-6  
-20 -4 35m 45m SOT-23  
-20 -9 10m 13m SOP-8  
-20 -9 10m 13m SOP-8(双岛)  
-30 -4.1 45m 65m SOT-23  
-30 -4.1 48m 55m SOT-23  
-30 -5.1 43m 55m SOP-8  
-30 -8 23m 30m SOT-23  
-30 -5.1 43m 55m SOP-8(双)  
-30 -9 20m 30m SOP-8  
-30 -12 11m 14m SOP-8  
-30 -12 11m 14m SOP-8(双岛)  
-30 -20 29m 40m TO-251/252  
-30 -25 6m 8.5m SOP-8  
-30 -30 13m 18m TO-251/252  
-30 -40 10m 13m TO-252  
-30 -30 11.5m 15m QFN  
-30 -50 4.6m 7m TO-251/252/QFN  
-40 -5 75m 85m SOT-23  
-40 -12 26m 35m TO-251/252  
-40 -40 12m 14m TO-251/252  
-40 -14 9m 11m SOP-8  
-60 -4 100m 120m SOT-23 保护、小电机
-60 -8 64m 80m SOT-23 电机、应急电源、UPS
-60 -20 64m 80m TO-251/252  
-60 -25 37m 45m TO-251/252  
-60 -50 23m 28m TO-251/252/SOP-8  
-60 -65 13m 18m TO-251/252/SOP-8  
-100 -13 285m 300m TO-251/252  
-100 -13 170m 200m TO-251/252  
-100 -30 45m 55m TO-251/252/220  
-200 -5 0.8 1.5 TO-251/252/220  

什么是pmos
  PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。
  P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压--值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的--值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

在反向保护电路中的应用
反向保护电路中用到PMOS,不用使用二极管是压降更小耗散无用功更少。别看有一个寄生正向二极管,但它完全没有用处。在电路正常通电时,GATE接在远低于D端的0电位上,此PMOS是完全导通的。反接电源时GATE的电位又远高于S端,PMOS完全截止

高低压P沟道MOSFET场效应管选型

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