海飞乐技术充电桩用N沟道高压1500V MOSFET场效应管现货选型
| Voltage (V) | Current (A) | Rdson (Ohm) | Package | 应用领域 | |
| 1500 | 3 | 5 | 6.5 | TO-263/220F/3PF/247 | 充电桩、高频工业电源 |
| 1500 | 6 | 2.5 | 3.5 | TO-3PF/247 | 充电桩、高频工业电源 |
| 1500 | 10 | 1.2 | 1.8 | TO-3PF/247 | 充电桩、高频工业电源 |
| 1500 | 30 | 0.6 | 1 | SOT-227B | 充电桩、高频工业电源 |
功率MOSFET的开关性能优良，主要用作功率开关及各种驱动器。近年来，它的性能不断提高，应用范围越来越广。计算机及电视机中的开关电源中的“开关”就是由功率MOSFET担任的。功率MOSFET除了应用在开关电源中，在计算机外设、办公室自动化设备、消费类电子产品、工业自动控制、通信设备及汽车工业中均得到普遍应用。
随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。例如短沟道效应(ShortChannelEffect-SCE)，热载流子注入效应(HotCarrierInject-HCI)和栅氧化层漏电等问题。为了克服这些挑战，半导体业界不断开发出一系列的**工艺技术，例如多晶硅栅、源漏离子注入自对准、LDD离子注入、polycide、Salicide、SRD、应变硅和HKMG技术。另外，晶体管也从MOSFET演变为FD-SOI、BulkFinFET和SOIFinFET。
沟道离子注入和晕环离子注入技术
MOS器件的特征尺寸缩小到深亚微米导致的另外一个问题是短沟道效应引起的亚阈值漏电流。随着MOS器件的栅极长度缩小到0.25um，源漏之间的耗尽区会相互靠近，导致它们之间的势垒高度降低，形成亚阈值漏电流。虽然MOS器件的栅极长度从0.33um缩小到0.25um时，器件的工作电压也从3.3V降低到2.5V，但是MOS器件的亚阈值区的漏电流依然很大。为了降低MOS器件的亚阈值区的漏电流，需要增加一道沟道离子注入和晕环(Halo)离子注入增加沟道区域的离子浓度，从而减小源漏与衬底之间的耗尽区宽度，改善亚阈值区的漏电流。如图1.15(a)所示，进行沟道离子注入的MOS管结构图。