海飞乐技术高压N沟道400V MOSFET场效应管现货选型
| Voltage (V) | Current (A) | Rdson (Ohm) | Package | 应用领域 | |
| 400 | 6 | 0.75 | 1 | TO-251/252/220 | 高压AC DC电源 |
| 400 | 9 | 0.68 | 0.8 | TO-251/252 | 高压AC DC电源 |
| 400 | 10 | 0.36 | 0.5 | TO-220/220F | 高压AC DC电源 |
| 400 | 19 | 0.225 | 0.25 | TO-220/220F | 高压AC DC电源 |
| 400 | 25 | 0.13 | 0.155 | TO-220/220F | 高压AC DC电源 |
场效应管工作原理- - 绝缘栅型
以N沟道耗尽型MOS管为例，如果在制造MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入大量正离子，那么即使uGS=0，在正离子作用下P型衬底表层也存在反型层，即漏-源之间存在导电沟道。只要在漏-源间加正向电压，就会产生漏极电流，并且，uGS为正时，反型层变宽，沟道电阻变小，沟道电流iD增大;反之，uGS为负时，反型层变窄，沟道电阻变大，iD减小。而当uGS从零减小到一定值时，反型层消失，漏-源之间导电沟道消失，iD=0。实现了栅源电压对漏极电流的控制。
场效应管工作原理- - 增强型
以N沟道为例，在一个N沟道增强模式器件中，应在栅源间加正向电压。正电压吸引了体中的自由移动的电子向栅极运动，形成了导电沟道。但是首先，充足的电子需要被吸引到栅极的附近区域去对抗加在FET中的掺杂离子;这形成了一个没有运动载流子的被称为耗尽区的区域，这种现象被称为FET的阈值电压。更高的栅源电压将会吸引更多的电子通过栅极，则会制造一个从源极到漏极的导电沟道;这个过程叫做"反型"。
在开关电源应用方面，这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如，DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员**的是MOS的**小传导损耗。
我们经常看MOS管的PDF参数，MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON)也是**的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的**简单的定义是结到管壳的热阻抗。