海飞乐技术N沟道300V MOSFET场效应管现货选型
| Voltage (V) | Current (A) | Rdson (Ohm) | Package | 应用领域 | |
| 300 | 3 | 2 | 3 | TO-252/223 | 逆变器、通信电源、LED |
| 300 | 3 | 2 | 3 | TO-252/223 | 逆变器、通信电源、LED |
| 300 | 18 | 180m | 260m | TO-252/220/220F | 逆变器、通信电源、LED |
| 300 | 32 | 110m | 130m | TO-220/220F | 逆变器、通信电源、LED |
| 300 | 40 | 80m | 100m | TO-220/220F | 逆变器、通信电源、LED |
| 300 | 50 | 60m | 80m | TO-247 | 逆变器、通信电源、LED |
| 300 | 59 | 30m | 40m | TO-3P | 逆变器、通信电源、LED |
场效应管可以分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(JGFET)，结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。因为绝缘栅型场效应管的栅极为金属铝，故又称为MOS管。
场效应管按导电方式的不同来划分，可分成耗尽型与增强型。当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型;当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
结型场效应管可分为N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管，下面我们就以N沟道为例对结型场效应管工作原理进行说明。
为保证N沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压(即uGS<0)，以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间加正向电压uDS，以形成漏极电流。栅-源之间负向电压越大，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，导电沟道越窄，沟道电阻变大，漏极电流iD越小;相反，若栅-源之间负向电压越小，则耗尽区就越薄，导电沟道越宽，沟道电阻变小，漏极电流iD越大。因此实现了场效应管的栅-源间负向电压对沟道电流的控制。
而对于P沟道结型场效应管，与N沟道原理类似，但要在其栅-源之间加正向电压(即uGS>0)才能保证其能能正常工作。