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快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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N沟道150V MOSFET场效应管选型

发布时间:2019-10-24 15:48:14       返回列表
   海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴小姐,期待与您的合作! 

海飞乐技术N沟道150V MOSFET场效应管现货选型
Voltage (V) Current (A) Rdson (Ohm) Package 用途
TYP MAX
150 2 1.8 2.2 SOT-23 开关
150 3 1 1.2 SOT-23 开关
150 15 100m 125m TO-251/252 开关
150 20 65m 80m TO-251/252 开关
150 150 5.5m 6.2m TO-220F/247/227B 开关
150 310 2.8m 3.5m SOT-227B 开关

今日半导体元件的材料通常以硅(silicon)为--,但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程,当中****的例如IBM使用硅与锗(germanium)的混合物所发展的硅锗制程(silicon-germanium process,SiGe process)。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料,如砷化镓(gallium arsenide,GaAs),因为无法在表面长出品质够好的氧化层,所以无法用来制造MOSFET元件。

当一个够大的电位差施于MOSFET的栅极与源极(source)之间时,电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷,而这时所谓的“反型层”(inversion channel)就会形成。通道的极性与其漏极(drain)与源极相同,假设漏极和源极是N型,那么通道也会是N型。通道形成后,MOSFET即可让电流通过,而依据施于栅极的电压值不同,可由MOSFET的通道流过的电流大小亦会受其控制而改变。

检测方法
1.准备工作
测量之前,先把人体对地短路后,才能摸触MOSFET的管脚。--在手腕上接一条导线与大地连通,使人体与大地保持等电位。再把管脚分开,然后拆掉导线。
2.判定电极
将万用表拨于R×100档,首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大,证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧,其中阻值较小的那一次,黑表笔接的为D极,红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品,S极与管壳接通,据此很容易确定S极。
3.检查放大能力(跨导)
将G极悬空,黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之,可用手分别触摸G1、G2极,其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管,平时就不需要把各管脚短路了。

N沟道150V MOSFET场效应管选型

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