海飞乐技术N沟道100V MOSFET场效应管现货选型
| Voltage (V) | Current (A) | Rdson (Ohm) | Package | 用途 | |
| TYP | MAX | ||||
| 100 | 2 | 200m | 250m | SOT-23/SOT-89 | 开关 |
| 100 | 3 | 130m | 175m | SOT-23/SOT-89 | 开关 |
| 100 | 3 | 130m | 175m | DFN3.3*3.3(双） | 开关 |
| 100 | 5 | 80m | 100m | SOT-23/SOT-89 | 开关 |
| 100 | 10 | 125m | 150m | TO-251/252 | 开关 |
| 100 | 12 | 12m | 16m | SOP-8 | 开关 |
| 100 | 12 | 9m | 12m | SOP-8 | 开关 |
| 100 | 20 | 3.5m | 4.5m | SOP-8 | 开关 |
| 100 | 15 | 75m | 100m | TO-251/252/220 | 开关 |
| 100 | 15 | 40m | 60m | TO-251/252/220 | 开关 |
| 100 | 30 | 20m | 30m | TO-251/252/220/262/263 | 开关 |
| 100 | 40 | 14m | 17m | TO-251/252/220/SOP-8 | 开关 |
| 100 | 57 | 14m | 18m | TO-220/262/263 | 开关 |
| 100 | 60 | 10m | 15m | TO-251/252/220/262/263 | 开关 |
| 100 | 80 | 7.2m | 8m | TO-251/252/220/262/263 | 开关 |
| 100 | 180 | 3.3m | 4m | TO-220/262/263 | 开关 |
| 100 | 420 | 1m | 1.6m | SOT-227B | 开关 |
MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。
MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做为氧化层之用。
今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为--，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中****的例如IBM使用硅与锗（germanium）的混合物所发展的硅锗制程（silicon-germanium process,SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（gallium arsenide,GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件。