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海飞乐技术有限公司

快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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海飞乐技术N沟道30V MOSFET场效应管选型

发布时间:2019-10-24 15:31:55       返回列表
  海飞乐技术N沟道30V MOSFET场效应管现货选型

Voltage (V) Current (A) Rdson (Ohm) Package 用途
TYP MAX
30 5.8 20m 30m SOT-23 小电流开关
30 5.8 25m 31m SOT-23 小电流开关用
30 14 11m 25m SOT-23 开关
30 6 20m 25m SOT-89 开关
30 8 11m 20m SOP-8 开关
30 8 11m 20m SOP-8(双岛) 开关
30 10 8m 12m SOP-8 开关
30 10 5m 9m SOP-8 开关
30 20 18m 25m TO-252 开关
30 30 10m 15m TO-252 开关
30 35 6.5m 7m DFN3.3*3.3 开关
30 50 8m 11m TO-251/252/220 开关
30 80 5.5m 6.5m TO-251/252/220 开关
30 100 4.1m 5.5m TO-252/220/QFN 开关
30 150 2.0m 2.5m TO-220F/220/QFN 开关
30 170 1.5m 1.9m TO-252/220/QFN 开关
30 250 1.6 2.2m TO-220/263 开关

 海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴小姐,期待与您的合作
 
  MOS管主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

海飞乐技术N沟道30V MOSFET场效应管选型

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