| Voltage (V) | Current (A) | Rdson (Ohm) | Package | 用途 | |
| TYP | MAX | ||||
| 20 | 2.8 | 45m | 60m | SOT-23 | 小电流开关用 |
| 20 | 4 | 30m | 45m | SOT-23 | 小电流开关用 |
| 20 | 6.5 | 18m | 28m | SOT-23 | 小电流开关用 |
| 20 | 7 | 23m | 35m | SOT-23 | 小电流开关用 |
| 20 | 20 | 4.1m | 5m | SOP-8 | 开关 |
| 20 | 30 | 7m | 9m | TO-252 | 开关 |
| 20 | 60 | 4.7m | 6m | TO-252 | 开关 |
| 20 | 60 | 3.5m | 5m | TO-252 | 开关 |
| 20 | 90 | 2.8m | 4m | TO-252/251/220/220F | 开关 |
MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
MOSFET的开关性能优良，主要用作功率开关及各种驱动器。近年来，它的性能不断提高，应用范围越来越广。计算机及电视机中的开关电源中的“开关”就是由功率MOSFET担任的。功率MOSFET除了应用在开关电源中，在计算机外设、办公室自动化设备、消费类电子产品、工业自动控制、通信设备及汽车工业中均得到普遍应用。
MOSFET的开关性能优良，主要用作功率开关及各种驱动器。近年来，它的性能不断提高，应用范围越来越广。计算机及电视机中的开关电源中的“开关”就是由功率MOSFET担任的。功率MOSFET除了应用在开关电源中，在计算机外设、办公室自动化设备、消费类电子产品、工业自动控制、通信设备及汽车工业中均得到普遍应用。
海飞乐技术目前产品范围包括有：MOS管、MOS模块，快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！
由于MOSFET的耐压不同，绝缘层的厚度不同，要使它导通的电压也不同。一般用ID（或-ID）为250μA（或1mA）时的VGS（或-VGS）值称为导通阈值电压VGS（th），有的也称为开启电压，即开始导通时所需的VGS之间的电压值。不同型号的功率MOSFET阈值电压是不相同的（低的是0.45V，而高的达3V），但不同型号的双极型晶体管（硅管），其VBE或VEB都是0.6～0.7V。
MOS的重要参数：
在MOS管选择方面，系统要求相关的几个重要参数是：
1.负载电流IL。它直接决定于MOSFET的输出能力；
2.输入—输出电压。它受MOSFET负载占空比能力限制；
3.开关频率FS.。这个参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；
4.MOSFET--允许工作温度。这要满足系统指定的可靠性目标。
MOS的重要参数：
在MOS管选择方面，系统要求相关的几个重要参数是：
1.负载电流IL。它直接决定于MOSFET的输出能力；
2.输入—输出电压。它受MOSFET负载占空比能力限制；
3.开关频率FS.。这个参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；
4.MOSFET--允许工作温度。这要满足系统指定的可靠性目标。
MOS管工作原理
MOS管的导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
MOS管主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
在测量MOSFET的DS的电压时候，要保证正确的测量方法。MOS管的导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
MOS管主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
(1)如同测量输出电压的纹波一样，所有工程师都知道，要去除示波器探头的帽子，直接将探头的信号**和地线接触被测量位置的两端，减小地线的环路，从而减小空间耦合的干扰信号。
(2)带宽的问题，测量输出电压纹波的时候，通常用20MHZ的带宽，但是，测量MOSFET的VDS电压时候，用多少带宽才是正确的测量方法?事实上，如果用不同的带宽，测量到的尖峰电压的幅值是不同的。具体原则是：
①确定被测量信号的**上升Tr和下降时间Tf;
②计算--的信号频率：f=0.5/Tr，Tr取测量信号的10%~90%;f=0.4/Tr，Tr取测量信号的20%~80%;
③确定所需的测量**度，然后计算所需的带宽。