海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！ MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。 200V100AMOS现货IXTN110N20L2技术参数
产品种类: MOSFET 
RoHS:  符合
技术: Si 
安装风格: Chassis Mount 
封装 /箱体: SOT-227-4 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 200 V 
Id-连续漏极电流: 100 A 
Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms 
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
Qg-栅极电荷: 500 nC 
工作温度范围: - 55℃~150℃
Pd-功率耗散: 735 W 
通道模式: Enhancement 
封装: Tube 
高度: 12.22 mm  
长度: 38.23 mm  
宽度: 25.42 mm  
正向跨导 - **小值: 55s  
下降时间: 135 ns  
上升时间: 100 ns  
典型关闭延迟时间: 33 ns  
典型接通延迟时间: 40 ns  
单位重量: 30 g

MOS管的性能参数有哪些？
**的MOS管可以接受的电流峰值更高。普通状况下我们要判别主板上MOS管的质量上下，能够看它能接受的--电流值。影响MOS管质量上下的参数十分多，像极端电流、极端电压等。但在MOS管上无法标注这么多参数，所以在MOS管外表普通只标注了产品的型号，我们能够依据该型号上网查找详细的性能参数。 还要阐明的是，温度也是MOS管一个十分重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的进步，MOS管需求接受的电流也随着加强，提供近百A的电流已经很常见了。如此宏大的电流经过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的平安，高质量主板也开始为MOS管加装散热片了。

现货IXTN110N20L2场效应管MOS模块

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