IXFN100N20技术参数
技术: Si 
安装风格: Chassis Mount 
封装/箱体: SOT-227-4 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 200 V 
Id-连续漏极电流: 100 A 
Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
工作温度范围: - 55℃~150 ℃
Pd-功率耗散: 520 W 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
商标名: HyperFET 
封装: Tube 
高度: 9.6 mm  
长度: 38.23 mm  
宽度: 25.42 mm  
下降时间: 30 ns  
上升时间: 80 ns  
典型关闭延迟时间: 75 ns  
典型接通延迟时间: 30 ns  
单位重量: 30 g  

  MOS管主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

场效应管模块IXFN100N20现货

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