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海飞乐技术有限公司

快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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二极管DSEP2x91-06A模块参数替换

发布时间:2019-10-08 11:25:05       返回列表
 海飞乐技术快恢复二极管现货替换DSEP2x91-06A。
海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴海丽,期待与您的合作
DSEP2x91-06A
  快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。
 
    DSEP2x91-06A快恢复二极管各参数之间存在着折衷关系,主要是正向导通特性、反向恢复特性,及反向击穿特性等之间各参数的矛盾;主要的性能参数包括正向压降、反向峰值电流、反向恢复时间、软度因子、阻断电压、漏电流,我们只能在各参数之间取其折衷而无法实现所有特性参数的**值,在取得一项或几项参数优化的同时,不过多牺牲其它参数,实现器件综合性能在一定方向上的优化。
 
DSEP2x91-06A快恢复二极管模块现货参数资料
产品种类: 快恢复二极管
制造商: IXYS 
RoHS: 符合RoHS 详细信息 
数量:9500 
描述
Diode Array 2 Independent Standard 600V 30A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC 
包装:管件 
零件状态:有效 
二极管配置:2 个独立式 
二极管类型:标准 
电压 - DC 反向(Vr)(--值):600V 
电流 - 平均整流(Io)(每二极管):30A 
不同 IF 时的电压 - 正向(Vf):2.49V @ 30A 
速度
**恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 
反向恢复时间(trr):30ns 
不同Vr 时的电流 - 反向漏电流
250 08A @ 600V 
安装类型:底座安装 
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 
供应商器件封装:SOT-227B 
标准包装:10  
产品: Rectifiers 
工厂包装数量: 10 
端接类型: Solder Pad 
宽度: 34.3 mm 
单位重量: 38 g 
 
海飞乐技术现货替换以下型号
DSA300I45NA
DSA300I100NA 
DSA240x150NA
DSA240x200NA 
DSA300I200NA 
DSS2x61-0045A
DSS2x200-0008D
DSS2x81-0045B 
DSS2x121-0045B 
DSS2x160-0045A
DSS2x111-008A
DSS2x41-01A 
DSS2x61-01A 
DSS2x160-01A
DSS2x101-015A
DSS2x101-02A
 
快恢复二极管所采取的技术方案,各家大同小异,概括起来有以下3个基本点。
(1)外形与IGBT和功率MOSFET等现代电压控制型器件的外形相匹配,均为方片,终端采用场板或场限环结构。
(2)内部结构普遍采用单层外延或双层外延(双基区)结构。采用扩散型结构的也有,如IXYS的SONIC二极管,其--特点是采用了电子辐照+ He++离子辐照的少子寿命控制技术,并将He++离子辐照的峰值区放在了P型扩散层中。
(3)少子寿命控制普遍采用铂扩散+电子辐照技术,也有采用铂扩散+He++离子辐照或电子辐照+He++离子辐照技术。

二极管DSEP2x91-06A模块参数替换

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