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海飞乐技术有限公司

快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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二极管模块DSEP2x31-06B参数替换

发布时间:2019-10-08 11:25:12       返回列表
 海飞乐技术快恢复二极管现货替换DSEP2x31-06B。
  海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴海丽,期待与您的合作
DSEP2x31-06B
  一般快恢复二极管主要指与**晶闸管、高频晶闸管以及GTO、IGCT、lEGT等晶闸管派生器件匹配的FWD器件。这种二极管通常电流大,电压高,反向恢复时间一般在Iµs以上,大都采用扩散型穿通型结构和电子辐照工艺,电流从几十安培至几千安培,电压几百至3000V以下,反向恢复特性通常比较優。结构上主要有园饼结构和方片结构,其中以大面积园饼(wafer)结构更具优势。

DSEP2x31-06B特点:
高速开关
低功耗
高可靠性

DSEP2x31-06B快恢复二极管模块现货参数资料
价格:1
产品种类: 快恢复二极管
制造商: IXYS 
RoHS: 符合RoHS 
数量:9500 
描述
Diode Array 2 Independent Standard 600V 30A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC 
包装:管件 
零件状态:有效 
二极管配置:2 个独立式 
二极管类型:标准 
电压 - DC 反向(Vr)(--值):600V 
电流 - 平均整流(Io)(每二极管):30A 
不同 If 时的电压 - 正向(Vf):2.49V @ 30A 
速度
**恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 
反向恢复时间(trr):30ns 
不同Vr 时的电流 - 反向漏电流
250 08A @ 600V 
安装类型:底座安装 
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 
供应商器件封装:SOT-227B 
标准包装:10  
产品: Rectifiers 
工厂包装数量: 10 
端接类型: Solder Pad 
宽度: 34.3 mm 
单位重量: 38 g 

    DSEP2x31-06B工作原理
  二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

  DSEP2x31-06B快恢复二极管开通特性:
  快恢复二极管的开通有一个过程,开通初期出现较高的瞬态压降,经过一定时间后才能处于稳定状态,并具有很小的管压降,这就是说,二极管开通初期不能立即响应正向电流的变化。二极管开通特性的曲线。管压降随时间变化的曲线,其中Ufp为正向峰值电压,tfr为正向恢复时间,二极管开通电流的波形,电流上升率用diF/dt表示,正在开通的二极管具有比稳态大得多的峰值电压Ufp。

二极管模块DSEP2x31-06B参数替换

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