海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！
  对于这个快恢复二极管来说，它的内部所具有的结构跟普通的PN结二极管是有着不同的区别的。这个快恢复二极管是PIN结型的二极管类型，也就是说在P型的硅材料跟N型的硅材料里面，增加了一个基区I，这样就构成了PIN硅片。由于基区是相对比较薄的，所以相应的反向恢复的电荷还是相对较小的。我们从上面的介绍知道，快恢复二极管具有很短的反向恢复时间，它的正向压降还是比较低的，相应的反向击穿电压还是比较高的。 快恢复二极管属于整流二极管中的高频二极管，特点是它的反向恢复时间很短，这一点特别适合高频率整流。快恢复二极管的反向恢复时间是其性能的重要参数，反向恢复时间的定义是：二极管从正向导通状态急剧转换到截止状态，从输出脉冲下降到零线开始，到反向电源恢复到--反向电流的10％所需要的时间。常用符号trr表示，trr值越小的快恢复二极管工作频率越高。因为导通和截止转换迅速，从而可以改善整流波形。快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，普通整流二极管是一个PN结，而快恢复二极管PN结中间增加了基区I，构成PIN硅片。
  主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。

快恢复二极管DSEI2x30-06C库存现货参数资料
价格：1
产品种类: 快恢复二极管
制造商: IXYS 
RoHS: 符合RoHS  
描述
DIODE FRED 600V 30A SOT-227B 
电压_在If时为正向（Vf）111--222
1.6V @ 30A 
电流_在Vr时反向漏电
100µA @ 600V 
电流_平均整流（Io）111每个二极管222
30A 
电压_（Vr）111--222
600V 
反向恢复时间（trr）：50ns 
二极管类型：标准 
速度
**恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io） 
二极管配置：2 个独立式 
安装类型：底座安装 
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC 
供应商设备封装：SOT-227B 
包装：管件 
类型: Fast Recovery Rectifiers 
配置: Dual Parallel 
Vf - 正向电压: 1.1 V at 120 A 
高度: 9 mm 
长度: 51 mm 
--工作温度: + 150 C 
**小工作温度: - 40 C 
Pd-功率耗散: 250 W 
产品: Rectifiers 
工厂包装数量: 10 
端接类型: Solder Pad 
宽度: 34.3 mm 
单位重量: 38 g 

  工作原理
  二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

600V二极管模块DSEI2x30-06C现货

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