海飞乐技术快恢复二极管现货替换STTH3002C。
二极管过电失效经过分析是二极管晶圆焊接产生高温铜迁移失效，防止铜迁移产生有效手段通过在硅与铜直接建立起有效的阻隔层，一般方法是铜引线部分使用镍进行镀层，防止铜原子迁移，二极管晶圆表面形成有效保护层，可以有效隔离迁移过来铜原子，避免产生还原化学反应。铜硅之间增加活性差的难溶金属SiN、Ta、Ti等。
经过将大量过程失效及全检失效二极管分析，确定全检制品也有存在晶元有裂纹异常。**终确定二极管失效是厂家生产过程晶元与杜美丝焊接工序存在问题，引脚(铜质)上的铜在370度的焊接温度下(在代工厂压接过程中)，铜原子迁移到晶圆表面，并生成硅化铜，从而导致器件漏电流增大。导致失效的原因是“铜迁移”，由于产生铜迁移导致晶元与杜美丝结合力大幅度下降，生产过程出现晶元受外在机械应力产生裂纹，后在制造使用过程再次自插剪脚受力导致裂纹程度加重，在整机通电后因器件电性能衰降反向耐压不足导致二极管击穿失效，强电直接引入弱电导致模块与其他器件过电击穿失效炸裂。针对二极管铜迁移采取对晶圆表面增加延长覆盖面积至45μm及引线镀镍有效解决铜原子迁移与硅发生还原反应，解决二极管高温铜迁移失效不良。
快恢复二极管STTH3002C技术参数
RoHS：ROHS 无铅
封装：管件
说明：DIODE ULT FAST 200V 30A TO247
标准包装：30
类别：分立式导体产品
家庭：单二极管/整流器
二极管类型：标准
电压-DC 反向 (Vr)（**值）：200V
电流-平均整流 (Io)：30A
安装类型：通孔，径向
封装/外壳：TO-247
晶体二极管的伏安特性：是指二极管两端电压和流过二极管电流之间的关系。由PN结电流方程求出理想的伏安特性曲线（非线性）。二极管正向起始部分存在一个死区或门坎，称为门限电压。硅：Ur=0.5-0.7v; 锗：Ur=0.1-0.2v。 二极管加反向电压时相同温度下, 硅管比锗管稳定。二极管的反向电压增大到UB时再增加，反向激增，发生反向击穿，UB称为反向击穿电压。
混频二极管
在无线电技术中，可以把两种频率混合后变换成另一种频率。我们把这种频率的变换过程称为混频。专门用作混频的二极管叫做混频二极管。混频二极管在无线电测量、雷达、通讯方面有着广泛的应用。可以用点接触二极管来实现混频过程。但点接触二极管存在严重的缺点，诸如机械稳定性差、易烧毁、整流特性不够理想等。因此，随着对接收器件要求的提高以及半导体材料和工艺的改进，肖特基二极管得到了迅速的发展和广泛的应用。
由于电子的迁移率比空穴迁移率大，因此常采用N型半导体来制造混频二极管。砷化镓的电子迁移率又比硅大得多，所以在微波频率下，砷化镓混频二极管显示了它的优越性。在频率变换的过程中，会损失一部分功率。变频损耗就是用来表示混频二极管这种特性的一个参数。为了获得低的变频损耗，必须**控制肖特基势垒，在工艺上要选择合适的势垒金属并注意防止表面沾污。
耐烧毁特性是混频二极管的另一个主要参数。影响耐烧毁特性的因素是很多的，例如势垒面积的大小、外延层杂质浓度外延层厚度和缺陷密度等。另外，器件制造的工艺水平，如钝化膜的应力、光刻图形边缘的质量、势垒所受的应力等都影响混频二极管的耐烧毁特性。
混频二极管的管芯结构可以是台面型或平面型的，但目前以平面型结构居多。金属与半导体接触面积一般采用圆形，所以接触势垒区也是圆形的，势垒直径的大小主要由所要求的结电容来确定。工作频率愈高，结电容应愈小，势垒直径也愈小。一般势垒直径是几微米到几十微米。