符号参数额定值单位
VDSS漏源电压：1500 V
ID连续漏电流：3 A
Vgs=10V:12A时的IDM脉冲漏极电流
VGS门到源电压：±30 V
EAS单脉冲雪崩能量：130MJ
dv/dt 二极管恢复峰值:5.0 V/ns
PD功耗：250W
Pd降额系数25℃以上：2.0W/℃。
TJ、TSTG操作接头及储存温度范围：150，–55至150℃
Tl焊接**高温度：300℃
T-Pak在距离外壳0.63英寸（1.6毫米）处引线10秒，包装体10秒：260℃
N沟道3A/1500VMOSFET场效应管电特性
MOS管应用优点
1.MOS管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.MOS管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.可以用作可变电阻。
4.可以方便地用作恒流源。
6.MOS管在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零。另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配。
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。