海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。

快恢复二极管的性能特点：
(1)反向恢复时间trr要短，以加快器件的开关速度，降低器件的开关损耗和提高电力电子电路的工作频率；
(2)反向恢复峰值电流IRM要小，防止开关器件因通过大电流而烧毁；
(3)反向恢复软度因子S要大，以减小器件反向恢复过程中的电压过冲和电压振荡，提高器件工作的稳定性和可靠性；
(4)反向漏电流IR要小，以减小器件在关断状态下的功率损耗；
(5)正向通态压降VF要小，以减小器件在导通状态下的功率损耗。以达到这些要求为基本目标。 快恢复二极管MUR3060技术参数
RoHS：ROHS无铅/符合规范要求
封装：管件
说明：DIODE ULT FAST 600V 30A TO3P
标准包装：30
类别：分立式导体产品
家庭：单二极管/整流器
二极管类型：标准
电压-DC反向 (Vr)（**值）：600V
电流-平均整流 (Io)：30A
安装类型：通孔，径向
封装/外壳：TO-3P

工作原理
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

快恢复二极管的少子寿命控制技术：
快恢复二极管的反向恢复时间与二极管基区内少数载流子寿命成正比，因此，提高快恢复速度的**直接有效的办法就是尽量设法减小基区的少数载流子寿命，减小少子寿命的方法是往基区引入深能级复合中心。引入复合中心的方法很多，金属、杂质、缺陷的引入都会减小少子寿命，如扩金、扩铂、污染、射线辐照、急冷急热等，均可使少子寿命大幅下降。但少子寿命下降的同时，压降增加，漏电流增加。不同的方法引起的压降和漏电流的变化差异很大，不是随便什么杂质或缺陷都可以引入的。其中**经典的方法是扩金、扩铂。

快恢复二极管MUR3060现货

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