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快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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二极管DSEP15-06B现货

发布时间:2019-06-18 15:19:36       返回列表
 DSEP15-06B
  海飞乐技术快恢复二极管现货替换DSEP15-06B。
  海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴海丽,期待与您的合作

早期的真空电子二极管;它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。

快恢复二极管和一般的二极管结构PN结相似,但是它的PN结附近的N区参杂浓度低且宽度窄,可是它两边的P区与N区的参杂浓度高,这就是形成了常说的快恢复二极管的PIN结构。快恢复二极管正向工作时实际是以短路一个很低的阻抗表示,而反正工作时实际是以一个高的容抗表示。因此,快恢复二极管具有较高的开关速度,所以可以用来组成脉冲很短的发生器。 

DSEP15-06B产品优势:
超快恢复时间
大电流能力
高抗浪涌电流能力
低正向压降
低反向漏电流
DSEP15-06B
快恢复二极管DSEP15-06B技术参数
RoHS:ROHS无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装:管件
说明:DIODE ULT FAST 600V 15A
标准包装:30
类别:分立式导体产品
家庭:单二极管/整流器
二极管类型:标准
电压-DC反向 (Vr)(**值):600V
电流-平均整流 (Io):15A
安装类型:通孔,径向
封装/外壳:TO-220

正向性
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。

反向性
外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。

二极管DSEP15-06B现货

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