海飞乐技术MOS模块现货替换IXFN100N20。
海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
功率MOSFET的开关性能优良，主要用作功率开关及各种驱动器。近年来，它的性能不断提高，应用范围越来越广。计算机及电视机中的开关电源中的“开关”就是由功率MOSFET担任的。功率MOSFET除了应用在开关电源中，在计算机外设、办公室自动化设备、消费类电子产品、工业自动控制、通信设备及汽车工业中均得到普遍应用。MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
IXFN100N20应用
•DC-DC转换器
•开关模式和谐振模式电源
直流斩波器
•脉冲发生器
IXFN100N20优势
•易于安装
•节省空间
•高功率密度
全新现货MOSFET模块IXFN100N20技术参数资料
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装/箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200V
Id-连续漏极电流: 100A
Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度范围: - 55℃~ 150℃
Pd-功率耗散: 520 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 9.6 mm
长度: 38.23 mm
宽度: 25.42 mm
下降时间: 30 ns
上升时间: 80 ns
工厂包装数量: 10
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 30 g
在MOS管选择方面，系统要求相关的几个重要参数是：
1.负载电流IL。它直接决定于MOSFET的输出能力；
2.输入—输出电压。它受MOSFET负载占空比能力限制；
3.开关频率FS.。这个参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；
4.MOSFET**允许工作温度。这要满足系统指定的可靠性目标。
IXFN100N20检测方法
1．准备工作
测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。**在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
2．判定电极
将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。
3．检查放大能力（跨导）
将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。