IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子)，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。
NGTB40N120FL2WG特点
通过直接检测连接处温度保护
低功耗和软开关
高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
因为大减少零部件的数量在更高的可靠性内置的控制电路
IGBT单管NGTB40N120FL2WG现货技术参数
对于导热剂与散热器表面的建议 制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
栅极/发射极**电压: 30 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 535 W
**小工作温度: - 55 C
**工作温度: + 175 C
系列: NGTB40N120FL2
封装: Tube
商标: ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
单位重量: 6.500 g
按照一般规则，对于PrimePACk模块来说，如果手工来涂抹导热剂，我们建议50um的典型厚度。根据导热剂的粘度，存在与**值的偏差也是可能的（请见下文）。 在我们的数据手册里，你会发现一个热阻RthCH的数值，它表示的是模块基板与散热器之间的导热阻抗。为了在你的应用中确保这个热阻值，在模块与散热器之间接触面的粗糙度和散热器的平整度应该具有以下：
基板规格 表面粗糙度 平整度 172×89mm 模块： <10um <30um 250×89mm 模块： <10um <50um 下面的这些量值一个准则，就是导热剂为了达到50um的涂层所需要的量值。这些容量可以通过注射或者利用别的管子来测量得到。
172×89mm 模块： 0.77cm3 250×89mm 模块： 1.11cm3
2 丝网印刷工艺 在丝网印刷的过程中，导热剂被直接应用于模块的基板。以下图片展示的是机器工作及导热剂涂抹过程。
1.首先清洁金属夹具上的变硬的导热剂残留物或者其他杂质。可以应用适当的乙醇等化学物品。
2. 校准丝网模板与模块的位置。