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快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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快恢复二极管DWM100X2-06U现货

发布时间:2019-05-31 10:01:09       返回列表
 DWM100X2-06U
 海飞乐技术快恢复二极管模块现货替换大卫DWM100X2-06U
  海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴海丽,期待与您的合作

  **软恢复二极管的阻断电压范围宽,使它们能够作为开关电源(SMPS)的输出整流器,以及逆变器和焊接电源中的功率开关的保护二极管和续流二极管。 
  **软恢复二极管模块广泛应用在以下几个方面: 高频开关器件的反并联二极管; 变流器的续流二极管; 感应加热和熔炼; 不间断电源(UPS);超声波清洗器和焊机等。 
 
二极管过电失效经过分析是二极管晶圆焊接产生高温铜迁移失效,防止铜迁移产生有效手段通过在硅与铜直接建立起有效的阻隔层,一般方法是铜引线部分使用镍进行镀层,防止铜原子迁移,二极管晶圆表面形成有效保护层,可以有效隔离迁移过来铜原子,避免产生还原化学反应。铜硅之间增加活性差的难溶金属SiN、Ta、Ti等。

大卫DWM100X2-06U快恢复二极管模块封装结构尺寸
外型封装
  CIBH结构通过在nn+结前设置高浓度p型埋层来实现反向空穴注入,避免了阴极侧p型岛结构牺牲部分阴极电子注入面积的问题,图3b示出其结构示意图和等效电路图。由于J3结两侧都为高掺杂,在很低的反向电压下(低于100V)即进入雪崩碰撞电离,J3结雪崩产生的空穴注入基区部分补偿了基区电子,而且nn+结压降被箝位在J3结的击穿电压,因此该区域电场强度降低,器件的动态雪崩抗性提高。实验测得两个CIBH二极管并联模块在5.5倍额定
电流,峰值功率达2.5 MW/cm3的条件下仍能正常完成反向恢复。但是背面空穴注入会在一定程度上延长反向恢复过程,开关损耗增加且静态阻断电压下降。

电路分析结果表明,通过对IPM自举电路初始上电工作瞬间工作原理及工作过程进行分析发现,在电路开始工作之前系统初始化阶段,下桥IGBT开启自举电容充电过程二极管承受电压**小,二极管不会存在过压失效可能,上桥IGBT开启过程二极管此时起到强弱电的有效隔离,两端承受电压**,除IPM外为此电路承受电压冲击频率**器件,如果器件因各种因素导致反向耐压偏低极易出现器件反向耐压不足击穿失效。导致内部IGBT开通异常急剧发热炸裂,所以经过对失效主板分析及器件应用电路分析判断,二极管异常导致炸板,经过实际模拟验证二极管耐压偏低确实可以导致模块炸失效,与下线故障现象一致。

快恢复二极管DWM100X2-06U现货

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