快恢复二极管和一般的二极管结构PN结相似，但是它的PN结附近的N区参杂浓度低且宽度窄，可是它两边的P区与N区的参杂浓度高，这就是形成了常说的快恢复二极管的PIN结构。快恢复二极管正向工作时实际是以短路一个很低的阻抗表示，而反正工作时实际是以一个高的容抗表示。因此，快恢复二极管具有较高的开关速度，所以可以用来组成脉冲很短的发生器。
大卫DAC2F100N6S快恢复二极管模块, 峰值反向重复电压 600V, 3引脚 5DM-1封装, **高工作温度 +150 °C。
快恢复二极管模块DAC2F100N6S技术参数
**连续正向电流 200A
二极管配置 共阳极
每片芯片元件数目 2
峰值反向重复电压 600V
安装类型 面板安装
封装类型 5DM-1
二极管类型 硅结型
引脚数目 3
**正向电压降 1.7V
长度 94mm
宽度 27.5mm
高度 23mm
峰值反向回复时间 160ns
尺寸 94 x 27.5 x 23mm
峰值反向电流 3mA
**高工作温度 +150 °C
**工作温度 -40 °C
峰值非重复正向浪涌电流 2kA
以pin结构为例，反向恢复过程中，随着二极管电压的上升，耗尽区电场增强。由基区等离子层向阳极侧漂移经过空间电荷区的穻穴，在强场下达到饱和漂移速度。pn结附近空穴浓度将随着反向恢复电流的增大而增大。而高压二极管n-基区电离施主浓度Np通常为1013cm-3量级，这种情况下漂移经过空间电荷区的空穴对该区域的有效止电荷浓度Neff起主要作用。由泊松方程dE/dx=qNeff/ε可知，Neff决定了电场梯度，pn结附近电场梯度显著増加，动态电场峰值增加，发生雪崩碰撞电离的临界值将不再由n-掺杂浓度决定，即二极管将会提前发生雪崩碰撞电离，这就形成了动态雪崩。
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，称肖特基二极管（Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。