海飞乐技术快恢复二极管模块现货替换大卫DAC2F150N6S。
大卫DAC2F150N6S快恢复二极管模块, 峰值反向重复电压 600V, 3引脚 5DM-1封装, **高工作温度 +150 °C。
为了研制具有高耐压、大电流、低损耗、快开通、快恢复、软恢复、软恢复的单一PV 结型器件，首先要满足高反向耐压(VRRP)。为此必须选用高电阻率的N型晶面的硅单晶材料。由于氧化硅中的施主行为，在高温处理过程中会引起材料电阻率的起伏，而中子幅照区熔单晶具有含氧量低、电阻率高，均匀性和重复性良好、缺陷密度低等优点。所以采用这种材料制备的大功率容量器件，击穿电压可得到高精度的控制，有较好的浪涌电压和浪涌电流的承受能力。
快恢复二极管模块DAC2F150N6S技术参数
**连续正向电流 300A
二极管配置 共阴极
每片芯片元件数目 2
峰值反向重复电压 600V
安装类型 面板安装
封装类型 5DM-1
二极管类型 硅结型
引脚数目 3
**正向电压降 1.7V
长度 94mm
宽度 27.5mm
高度 23mm
峰值反向回复时间 200ns
**高工作温度 +150 °C
**工作温度 -40 °C
尺寸 94 x 27.5 x 23mm
峰值反向电流 6mA
峰值非重复正向浪涌电流 2.8kA
IGCT关断时，iL从IGCT换流到VDUT，VDUT进入开通过程，VDUT电流上升速率(diFF/dt)主要由IGCT关断特性所决定。如图3b所示，在开通初期，VDUT出现较高的瞬态压降VFM，经过一定时间后才能处于稳定状态。VFM会叠加于IGCT的关断电压上，可能导致IGCT过电压。
正向恢复过程的产生原因一方面是由于器件内部N-区电导调制效应机理；另一方面，实际二极管由于引线长度等呈现“电感效应”，在开通电流上升过程中感应较高电压。
由于FRED具有极好的关断特性，可大幅度降低变频装置EMI噪声电平达15db，若用快恢复二极管(FRD)替代SR，亦可降低EMI噪声电平达10db，这一效应将直接影响到变频装置内抑制或消除EMI干扰的滤波电路内电容和电感的设计，并使它们的尺寸大大缩小，从而降低装置的成本和缩小装置的体积，使变频装置的性能提高，工作稳定可靠，使变频装置更能满足国内外EMI标准要求。而以晶闸管替代用以短路充电电阻的机械接触器，将使变频装置的工作寿命延长，工作更稳定更可靠。当前，虽然FRED要比SR更贵，而且模块制作工艺亦将更复杂，但综合考虑分析上述优点，随着FRED芯片价格的进一步下降和模块制造工艺的进一步成熟和规模化生产，将获得非快发展和广泛的应用。本项目已获国家发改委批准列入新型电力电子器件产业化专项。
由于FRED具有极好的关断特性，可大幅度降低变频装置EMI噪声电平达15db，若用快恢复二极管(FRD)替代SR，亦可降低EMI噪声电平达10db，这一效应将直接影响到变频装置内抑制或消除EMI干扰的滤波电路内电容和电感的设计，并使它们的尺寸大大缩小，从而降低装置的成本和缩小装置的体积，使变频装置的性能提高，工作稳定可靠，使变频装置更能满足国内外EMI标准要求。而以晶闸管替代用以短路充电电阻的机械接触器，将使变频装置的工作寿命延长，工作更稳定更可靠。当前，虽然FRED要比SR更贵，而且模块制作工艺亦将更复杂，但综合考虑分析上述优点，随着FRED芯片价格的进一步下降和模块制造工艺的进一步成熟和规模化生产，将获得非快发展和广泛的应用。本项目已获国家发改委批准列入新型电力电子器件产业化专项。