普通快恢复二极管并非像普通二极管一样，采用加少子寿命控制。在结构方面，普通快恢复二极管通常采用穿通型基区加缓冲层，使基区尽量缩短，降低通态压降。普通快恢复二极管还跟普通二极管的阴极浅结不同，普通快恢复二极管的阴极通常是由磷的深扩散形成，以充当缓冲层。
大卫DA2F100N12S快恢复二极管模块, 峰值反向重复电压 1200V, 3引脚 5DM-1封装, **高工作温度 +150 °C。
快恢复二极管模块DA2F100N12S技术参数
**连续正向电流 300A
二极管配置 共阴极
每片芯片元件数目 2
峰值反向重复电压 600V
安装类型 面板安装
封装类型 5DM-1
二极管类型 硅结型
引脚数目 3
**正向电压降 1.7V
长度 94mm
宽度 27.5mm
高度 23mm
峰值反向回复时间 200ns
**高工作温度 +150 °C
**工作温度 -40 °C
尺寸 94 x 27.5 x 23mm
峰值反向电流 6mA
峰值非重复正向浪涌电流 2.8kA
为了研制具有高耐压、大电流、低损耗、快开通、快恢复、软恢复、软恢复的单一PV 结型器件，首先要满足高反向耐压(VRRP)。为此必须选用高电阻率的N型晶面的硅单晶材料。由于氧化硅中的施主行为，在高温处理过程中会引起材料电阻率的起伏，而中子幅照区熔单晶具有含氧量低、电阻率高，均匀性和重复性良好、缺陷密度低等优点。所以采用这种材料制备的大功率容量器件，击穿电压可得到高精度的控制，有较好的浪涌电压和浪涌电流的承受能力。
外壳：壳体采用抗压、抗拉和绝缘强度高以及热变温度高的，并加有40%玻璃纤维的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料组成，它能很好地解决与铜底板、主电极之间的热胀冷缩的匹配问题，通过环氧树脂的浇注固化工艺或环氧板的间隔，实现上下壳体的结构联结，以达到较高的防护强度和气闭密封，并为主电极引出提供支撑。为了保证外壳成形时不形变，必须采取局部加厚和加强筋等措施，并尽可能使各处壁厚一致，以防在成型过程中由于不均匀的凝固和收缩，使厚壁处产生气泡和变形，严重影响外壳质量。