在电子电路中快恢复二极管有着反向恢复时间短、开关特性好、工作电流大等优点。尤其跟开关器件组合使用的大功率二极管有着特殊要求，此种二极管通常称作续流二极管（FWD）。续流二极管对开关器件作用十分重要，它的作用可以减小开关器件、二极管及许多电路中的功耗，还可以减小其本身引起的电压尖峰、电磁干扰、射频干扰等，从而做到尽量去减小或去掉吸收电路。
大卫DA2F100P12S快恢复二极管模块, 峰值反向重复电压 1200V, 3引脚 5DM-1封装, **高工作温度 +150 °C。
快恢复二极管模块DA2F100P12S技术参数
**连续正向电流 300A
二极管配置 共阴极
每片芯片元件数目 2
峰值反向重复电压 600V
安装类型 面板安装
封装类型 5DM-1
二极管类型 硅结型
引脚数目 3
**正向电压降 1.7V
长度 94mm
宽度 27.5mm
高度 23mm
峰值反向回复时间 200ns
**高工作温度 +150 °C
**工作温度 -40 °C
尺寸 94 x 27.5 x 23mm
峰值反向电流 6mA
峰值非重复正向浪涌电流 2.8kA
2ns后电场分布相对稳定，2ns、5ns、10ns、15ns以及20ns时的电场分布几乎重合，呈现PN结与N-N+结处两头尖，中间N-区较为平缓的吊床状电场分布。通过对电子密度和空穴密度分布图的观察发现，2ns及此后的电子、空穴在N-区内(4µm-20µm)的浓度基本相等，这是由于上方的PN结雪崩产生的电子向N-区漂移，同时下方的N-N+结雪崩产生的空穴也向上面的N-区漂移，两股漂移的载流子在N-区内形成了反向击穿下的等离子体(plasma)，这也被称为反偏下由雪崩注入引起的电导调制。由于之后的电压波形也处于比较“平稳”发展的状态，该阶段，本文称为"平稳"发展阶段。
经过将大量过程失效及全检失效二极管分析，确定全检制品也有存在晶元有裂纹异常。**终确定二极管失效是厂家生产过程晶元与杜美丝焊接工序存在问题，引脚(铜质)上的铜在370度的焊接温度下(在代工厂压接过程中)，铜原子迁移到晶圆表面，并生成硅化铜，从而导致器件漏电流增大。导致失效的原因是“铜迁移”，由于产生铜迁移导致晶元与杜美丝结合力大幅度下降，生产过程出现晶元受外在机械应力产生裂纹，后在制造使用过程再次自插剪脚受力导致裂纹程度加重，在整机通电后因器件电性能衰降反向耐压不足导致二极管击穿失效，强电直接引入弱电导致模块与其他器件过电击穿失效炸裂。针对二极管铜迁移采取对晶圆表面增加延长覆盖面积至45μm及引线镀镍有效解决铜原子迁移与硅发生还原反应，解决二极管高温铜迁移失效不良。