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海飞乐技术有限公司

快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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二极管模块DA2F75N12S现货

发布时间:2019-05-31 10:02:13       返回列表
    海飞乐技术快恢复二极管模块现货替换大卫DA2F75N12S
DA2F75N12S
 海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴海丽,期待与您的合作

  大卫DA2F75N12S快恢复二极管模块, 峰值反向重复电压 1200V, 3引脚 5DM-1封装, **高工作温度 +150 °C。
电路特性
快恢复二极管模块DA2F75N12S技术参数
**连续正向电流 150A
二极管配置 共阴极
每片芯片元件数目 2
峰值反向重复电压 1200V
安装类型 面板安装
封装类型 5DM-1
二极管类型 硅结型
引脚数目 3
**正向电压降 2.5V
长度 94mm
宽度 27.5mm
高度 23mm
峰值反向回复时间 130ns
**高工作温度 +150 °C
尺寸 94 x 27.5 x 23mm
峰值反向电流 3mA
**工作温度 -40 °C
峰值非重复正向浪涌电流 1.5kA

外形结构
  在高压大容量三电平变换器中,吸收二极管和中点钳位二极管均需使用快恢复二极管,其开关特性,特别是瞬态特性对变换器的安全工作、运行性能和EMI有着较大的影响。建立准确描述开关特性的快恢复二极管模型,对变换器的电气性能优化和电磁兼容设计具有重要的指导意义。
  二极管模型是近二十年来电力电子领域研究的热点之一,可分为功能模型和物理模型两类。功能模型通常只考察该器件的外部特性,不用考虑几何性质和内部物理过程,用简单的数据拟合、查表或经验描述等实现。其计算速度快,参数确定简单。但由于精度和灵活度的局限性,现在很少使用。

影响二极管高温铜迁移产生因素分析
温度   
铜产生铜原子并产生迁移温度大约是从350°开始,温度越高铜原子运动越活跃,迁移速率越快,受温度影响很大,该快恢复二极管晶圆实际焊接温度370°,存在铜原子迁移条件。焊接温度是很重要影响因素生产时一定注意温度的控制。
引线焊接材质   
二极管晶圆焊接使用的引线是铜材质,铜材质相对铝材质导热性能好、电阻率低、热膨胀系数小、熔点高。但是使用铜材质引线就避免不了铜原子产生及迁移。
硅晶圆表面保护阻隔层覆盖不到位   
二极管晶圆表面未形成有效的保护阻隔层,设计应保证晶圆表面特别是边缘位置必须有效覆盖防止出现晶圆边缘位置因为封沟设计、或是制造过程出现问题导致硅晶圆实际没有有效的覆盖,为铜原子迁移与硅发生反应提供充足条件。

二极管模块DA2F75N12S现货

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