海飞乐技术开关二极管模块现货替换大卫DB2F200P6S。
负阻及振荡阶段是FRD在ESD过程中，电流集中开始出现的阶段。在该阶段中，器件经历的是类似于动态雪崩的情形，与动态雪崩不同之处在于，该情况下，在N-区域起初并没有等离子体的存在。从图5-6也可以看出在这个阶段，电压波形在经历一个大的降落及爬升后，又经历了几次小的振荡。造成振荡的具体原因尚难说清，但本文认为该振荡是与PN结及N-N+结处的雪崩有直接关系的，尤其是N-N+结处的雪崩，在研究FRD反向恢复过程的文献中通常都被认为是不稳定的，应设法减弱。
大卫DB2F200P6S快恢复二极管模块, 峰值反向重复电压 600V, 3引脚, 5DM-2封装。**高工作温度 +150 °C。
大卫DB2F200P6S快恢复二极管模块技术参数
**连续正向电流 400A
二极管配置 共阳极
每片芯片元件数目 2
峰值反向重复电压 600V
安装类型 面板安装
封装类型 5DM-2
二极管类型 硅结型
引脚数目 3
**正向电压降 1.7V
长度 93mm
宽度 35mm
高度 29.8mm
峰值反向回复时间 220ns
峰值反向电流 8.5mA
尺寸 93 x 35 x 29.8mm
**工作温度 -40 °C
峰值非重复正向浪涌电流 3.3kA
**高工作温度 +150 °C
为了保证快开通和低正向压降，采用穿通型PIV（P+—N-—N+结构；采用离子注入技术求得大面积平坦的PN结；采用扩铂技术控制器件的少子载流子寿命）以保证器件的快恢复和软恢复特性。并且有良好的高温特性，经过表面磨角技术(正斜角表面造型)，加上借助涂树脂或有机高分子化合物的钝化工艺，可使器件结的雪崩击穿发生于体内，器件的电流容量是设计器件结面积的依据，根据工厂现有的工模具夹件，选用尺寸稍大、电流密度偏低的一种，以保证器件的低正向压降，零件采用短引线、硬引线结构降低正向恢复电压VFV；而且采用精心优化工艺可得到良好的均匀性和重复性。
工作过程
系统初始在上电瞬间自举电容两端电压为零，如果IPM需要正常启动工作，驱动电路VCC就需要正常供电，初始化时没有电压，在IPM工作前，需要对自举电容进行充电，通过控制驱动信号足够脉冲数量，**控制IGBT开通，将电容两端电压抬升至目标电压，具体工作过程为：在上电瞬间需要对自举电容进行充电，下桥臂的IGBT开通将对应相输出电压拉低到地，电源通过自举电阻、自举二极管对电容进行充电。
当上桥IGBT开通时，输出电压再次升至母线电压水平。电容两端电压因不能突变，两端电压仍保持在供电电压水平，同时给IGBT驱动提供电压。自举二极管反向截止，将弱电电源部分与母线电压有效隔离，避免强电导入弱电击穿电路器件，以上是单个循环，后续周而复始进行。