海飞乐技术开关二极管模块现货替换DBC2F200P6S。
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。
20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。
大卫DBC2F200P6S快恢复二极管模块, 峰值反向重复电压 600V, 3引脚, 5DM-2封装。**高工作温度 +150 °C。
**连续正向电流 400A
二极管配置 共阳极
每片芯片元件数目 2
峰值反向重复电压 600V
安装类型 面板安装
封装类型 5DM-2
二极管类型 硅结型
引脚数目 3
**正向电压降 1.7V
长度 93mm
宽度 35mm
高度 29.8mm
峰值反向回复时间 220ns
峰值反向电流 8.5mA
尺寸 93 x 35 x 29.8mm
**工作温度 -40 °C
峰值非重复正向浪涌电流 3.3kA
**高工作温度 +150 °C
0.6ns时，电压过冲远超过了器件的静态击穿电压，器件在PN-结拐角处发生雪崩，且在靠近PN-结角的N-区产生大量的空穴，导致该处净电荷增多，电场斜率变陡，峰值在也变得更高。在接下来的0.7、0.8、0.9ns，PN-结拐角处雪崩产生的大量电子彼阴极的正向电场吸引，这些带负电荷的电子流经已完全耗尽的N-区，将改变N-区内净空问分布，电子的流走，使得靠近P N-结附近N-区内的空穴将此处的正电荷浓度升高，此处电场斜率变陡电子流经N-区中间时，会淹没掉此处的正电荷，使中间部分空间电荷区消失，电场在中间变得更平稳；电子流经靠近N-N+结处的N-区时，会使该处净电荷由正变负，电场斜率提高，并在N-N+结处，逐渐形成较强电场。