海飞乐技术开关二极管模块现货替换DBC2F200N6S。
反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。 也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。
大卫DBC2F200N6S快恢复二极管模块, 峰值反向重复电压 400V, 3引脚, 5DM-2封装。**高工作温度 +150 °C。
大卫DBC2F200N6S快恢复二极管模块技术参数
**连续正向电流 400A
二极管配置 共阴极
整流器类型 切换
每片芯片元件数目 2
峰值反向重复电压 400V
安装类型 面板安装
二极管类型 硅结型
引脚数目 3
**正向电压降 1.3V
长度 93mm
宽度 35mm
高度 29.75mm
峰值反向回复时间 200ns
尺寸 93 x 35 x 29.75mm
**工作温度 -40 °C
**高工作温度 +150 °C
峰值非重复正向浪涌电流 3.3kA
峰值反向电流 2mA
从电子空穴密度的分布就可以很清楚的看到，它们随时间的增加而减少。0.3ns时，N-区内电子密度已经完全低于N-区掺杂浓度2e14/cm3，也就是此时，器件N-区已经完
全耗尽，这时候对应的电压才为90.4V,为其静态击穿电压的28.6%。在这个阶段内，FRD内部的电流主要由从P区抽取的空穴流及从N-区抽取的电子流形成。这种情形类似于器件经历静态击穿时的情形。但要注意的是，0.3ns以后，PN结处的峰值电场都在1e5V/cm以上，此时电场强度开始变得很大，载流子此时在空间电荷区内会形成速度饱和，且总电流的**增大要求载流子的**流动，这样就会形成过耗尽的现象，即在承担相同电压的情况下，此时PN-结在P区形成的空间电荷区要比PN-结在静态时在P区形成的空间电荷区展得更宽，因此将这个阶段称为过耗尽阶段。