海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

  快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。

大卫DBC2F200N4S开关二极管, 峰值反向重复电压 400V, 3引脚, **高工作温度 +150 °C。

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如同5-4所示为Ref在使用相同物理模犁，8kV级别ESD热电耦合和纯电学仿真的仿真电压波形对比。图中，红线为热电耦合的ESD仿真电压波形，蓝线为纯电学的ESD仿真电压波形，由图可以看出，这两种方式得到的仿真电压波形非常一致，尤其是在仿真的前几ns，二者几乎重合。具体分析表明，2ns时，二者相差0.23%；15ns时，二者相差1.56%：20ns时，二者相差1.95%。虽然，随时间推移它们之间相差越来越大，但20ns内，二者差异始终小于2%。由于热电耦合的仿真模拟，考虑到了温度与其他电学参数以及物理参数(迁移率、碰撞电离率等)的相互作用关系，仿真速度极慢，因此，通过以上分析，为了提**真效率，可以使用不含热流方程的纯电学仿真来预测器件电流集丝的位置，这样可以使仿真速度加快一倍。

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