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快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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现货DH2F200N4S快恢复二极管

发布时间:2019-05-31 09:58:50       返回列表
DH2F200N4S
海飞乐技术快恢复二极管模块现货替换DH2F200N4S。
  海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴海丽,期待与您的合作

  快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

主要特点:
高速开关
低功耗
高可靠性

快恢复二极管DH2F200N4S原装现货技术参数价格资料
价格:1
产品种类: 快恢复二极管
制造商:大卫
RoHS: 符合RoHS
产品品牌:韩国大卫
产品参数:电流2组100A 耐压400V
产品封装:3DM-1
产品数量:210个
产品包装:一盘12个
产品批号:12+
产品货期:自家现货
产品品质:韩国进口原装
产品性质:快恢复二极管模块
同系列产品:DH2F100N4S DH2F150N4S DH2F100N4SE DH2F160N4SE DH2F100N6S
DH2F150N6S DH2F200N4S
电路特性外形结构
击穿
外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被**破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

二极管是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管因为灯丝的热损耗,效率比晶体二极管低,所以现已很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生**早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。

二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色,具体压降参考值如下:红色发光二极管的压降为2.0--2.2V,黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V,绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V,正常发光时的额定电流约为20mA。
二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。

现货DH2F200N4S快恢复二极管

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