海飞乐技术快恢复二极管模块现货替换大卫DH2F100N4S。
海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！快恢复二极管具有反向时间短、开关特性好、正向电流大等优点。其反向恢复时间一般为几十纳秒至几百纳秒，正向压降约为0.6伏，正向额定电流为几安培至几千安培，反向耐压可达几百到几千伏。这样，快恢复二极管就以它突出的优点和特点成为开关电源中不可缺少的功率器件。
对器件结构的优化设计，可以通过从源头上控制阳极的发射效率、器件的基区宽度即达到限制过多载流子注入，限制过多载流子的存储的效果。从而使器件在反向恢复时，因存储载流子数日的减少，而加快基区内剩余载流子的消失，实现相对**的关断。如通过降低P区的掺杂浓度，或采用基区穿通结构、双基区结构(缓冲层结构)、自调节发射效率(SPEE)结构"、理想欧姆接触结构、快恢复外延二极管(FRED)结构、以及与肖特基结构相结合的结势垒控制功率SBD,简称为JBS等。
以pin结构为例，反向恢复过程中，随着二极管电压的上升，耗尽区电场增强。由基区等离子层向阳极侧漂移经过空间电荷区的穻穴，在强场下达到饱和漂移速度。pn结附近空穴浓度将随着反向恢复电流的增大而增大。而高压二极管n-基区电离施主浓度Np通常为1013cm-3量级，这种情况下漂移经过空间电荷区的空穴对该区域的有效止电荷浓度Neff起主要作用。由泊松方程dE/dx=qNeff/ε可知，Neff决定了电场梯度，pn结附近电场梯度显著増加，动态电场峰值增加，发生雪崩碰撞电离的临界值将不再由n-掺杂浓度决定，即二极管
将会提前发生雪崩碰撞电离，这就形成了动态雪崩。
以pin结构为例，反向恢复过程中，随着二极管电压的上升，耗尽区电场增强。由基区等离子层向阳极侧漂移经过空间电荷区的穻穴，在强场下达到饱和漂移速度。pn结附近空穴浓度将随着反向恢复电流的增大而增大。而高压二极管n-基区电离施主浓度Np通常为1013cm-3量级，这种情况下漂移经过空间电荷区的空穴对该区域的有效止电荷浓度Neff起主要作用。由泊松方程dE/dx=qNeff/ε可知，Neff决定了电场梯度，pn结附近电场梯度显著増加，动态电场峰值增加，发生雪崩碰撞电离的临界值将不再由n-掺杂浓度决定，即二极管
将会提前发生雪崩碰撞电离，这就形成了动态雪崩。
快恢复二极管的反向恢复时间与二极管基区内少数载流子寿命成正比，因此，提高快恢复速度的**直接有效的办法就是尽量设法减小基区的少数载流子寿命，减小少子寿命的方法是往基区引入深能级复合中心。引入复合中心的方法很多，金属、杂质、缺陷的引入都会减小少子寿命，如扩金、扩铂、污染、射线辐照、急冷急热等，均可使少子寿命大幅下降。但少子寿命下降的同时，压降增加，漏电流增加。不同的方法引起的压降和漏电流的变化差异很大，不是随便什么杂质或缺陷都可以引入的。其中**经典的方法是扩金、扩铂。