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快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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二极管DBC2F150N4S现货

发布时间:2019-05-31 10:02:28       返回列表
   DBC2F150N4S
海飞乐技术快恢复二极管模块现货替换DBC2F150N4S。
  海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴海丽,期待与您的合作

  快恢复二极管以它显著的优越性,广泛由于脉宽调制器、交流电机变频调速器、开关电源、不间断电源、DC-DC变换器、高频加热装置中,作高频、高压、大功率、大电流整流、续流及保护用,型号的选取要根据具体的应用场合而定,同时还要根据二极管发热量的大小选取适当的散热器进行散热,一般情况还应加装绝缘垫片绝缘,以确保设备和人员的安全
电路特性外形结构

快恢复二极管VDS在缓冲电容CS充电是导通,充电电流全部流过快恢复二极管,因此快恢复二极管的额定电流应大于负载电流IL;VDS在缓冲电容CS放电时截止,其承受的方向电压就是RS上的电压,约为2US,因此其额定电压不应低于2US。由于流过VDS的平均电流很小,因此二极管只加上小散热即可。由于功率晶体管的开关频率高,如果VDS用普通二极管代替,则会因其不能**开通而使功率晶体管VT承受过电压损坏,又会因其不能**关断而使VDS过热损坏。

FRD的少子寿命控制技术
对于数日一定的载流子,其寿命越低,消失越快,在FRD中表现为反向恢复时间越短。因此,提高恢复速度**直接有效的方法便是尽量设法减小基区内的少子寿命。方法便是引入深能级复合中心,例如金属、杂质或缺陷都可以产生深能级复合中心,扩金、扩铂、射线辐照、急冷急热都可以使步子寿命下降。世寿命控制时,同样会带束正向电阻变大及漏电流变大等负面影响。不同的寿命控制方法引起的通态电阻、漏电流的变化差异很大。因此,并不是随便地引入缺陷或杂质就可以用来作寿命控制,而是需要很多研究和实践总结、日前通用的寿命控制技术有扩金、扩铂、电子或氯离子辆照等。

二极管DBC2F150N4S现货

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