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快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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快恢复二极管DA2F100N4S现货

发布时间:2019-05-31 09:57:58       返回列表
DA2F100N4S  
海飞乐技术快恢复二极管模块现货替换大卫DA2F100N4S。
  海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴海丽,期待与您的合作
电路特性

  FRED模块主要用于输出整流器环节和IGBT逆变器内。为了降低高频逆变器内由于高的开关频率所产生的谐波和波形畸变,缩小EMI滤波器的电容器和电感器的尺寸、有时,输入桥式整流器亦采用FRED模块,当然采用FRED替代普通整流管作输入三相整流桥,价格将比普通整流桥贵,但有些应用领域还是需要的,特别是利用FRED整流桥还可降低装置噪音15db,降低EMI滤波器电容器和电感器的尺寸和价格。采用比、逆变焊机重量约为工频的25%,节电40%,节材(钢和矽钢片)约70%左右。

  当GTO导通时,主电流Io流经GT0,但当GTO实施门极关断时,GTO上电流Io被切断,但由于主回路中存贮元件如电感等存在,主电流lo不能随之下降,这时应该使通过吸收二极管Ds对吸收电容进行充电,也就是让电流被吸收电路吸收过去,从而减少了主电流Io的下降速率,也相应降低了过电流的产生,使GTO能迅速关断,增大电容值吸收效果会改善,但会増加吸收电路的损耗,所以吸收电容要取适当值。总而言之吸收二极管Ds的作用是在GTO元件关断时能短接Rs,加速对Cs的充电,而在Cs放电时Ds又处于反向,放电电流经过Rs流过,减小放电电流。
外形结构
快恢复二极管的过热失效
过热失效是指快恢复二极管工作时产生的功耗引起结温升高,超过器件所允许的**高结温Tjm,导致器件发生热击穿。过热失效与器件的工作温度有关。通常用一个本征温度Tint来预测温度升高时器件内部的失效机理。Tint是指当热产生导致温度升高时的载流子浓度ni( T)等于衬底掺杂浓度ND时的温度。当温度高于Tint时,载流子浓度随温度按指数增长,热产生成为主导因素。Tint与本底掺杂浓度有关,一般高压器件(ND约为1013cm-3)的Tint要比低压器件(ND约为1014cm-3)低得多。由于受材料、工艺等因素的影响,器件Tjm通常远小于Tint。
 

快恢复二极管DA2F100N4S现货

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