海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！
 

  MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制构成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不运用耗尽型的MOS管，不建议寻根究底。关于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。缘由是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，普通都用NMOS。

  MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需求的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时分要省事一些，但没有办法避免，后边再细致引见。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动理性负载，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

海飞乐技术MOSFET参数图

 

IXFH44N50P产品特点：

完全隔离的封装

易于使用和并行

低电阻

额定动dv/dt

完全雪崩额定

简单的驱动要求

低门电荷装置

内部低电感 
 

IXFH44N50P产品主要应用：电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。
 

MOSFET场效应管IXFH44N50P技术参数

产品种类: MOSFET 

RoHS:  符合  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-247-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 500 V 

Id-连续漏极电流: 44 A 

Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms 

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 

**小工作温度: - 55 C 

**工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 650 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

商标名: HiPerFET 

封装: Tube 

高度: 21.46 mm  

长度: 16.26 mm  

系列: IXFH44N50  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.3 mm  

商标: IXYS  

正向跨导 - **小值: 32 S  

下降时间: 27 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 29 ns  

工厂包装数量: 30  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 85 ns  

典型接通延迟时间: 28 ns  

单位重量: 6.500 g  
 

  MOSFET的EAS-单脉冲雪崩击穿能量参数   

  如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。  

  定义额定雪崩击穿能量的器件通常也会定义额定EAS。额定雪崩击穿能量与额定UIS具有相似的意义。EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。  

  L是电感值，iD为电感上流过的电流峰值，其会突然转换为测量器件的漏极电流。电感上产生的电压超过MOSFET击穿电压后，将导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时，即使 MOSFET处于关断状态，电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所储存的能量与杂散电感上存储，由MOSFET消散的能量类似。 MOSFET并联后，不同器件之间的击穿电压很难完全相同。通常情况是：某个器件率先发生雪崩击穿，随后所有的雪崩击穿电流(能量)都从该器件流过。