当GTO导通时，主电流Io流经GT0，但当GTO实施门极关断时，GTO上电流Io被切断，但由于主回路中存贮元件如电感等存在，主电流lo不能随之下降，这时应该使通过吸收二极管Ds对吸收电容进行充电，也就是让电流被吸收电路吸收过去，从而减少了主电流Io的下降速率，也相应降低了过电流的产生，使GTO能迅速关断，增大电容值吸收效果会改善，但会増加吸收电路的损耗，所以吸收电容要取适当值。总而言之吸收二极管Ds的作用是在GTO元件关断时能短接Rs，加速对Cs的充电，而在Cs放电时Ds又处于反向，放电电流经过Rs流过，减小放电电流。
快恢复二极管模块的基本性能：
(1)恢复速度快，即反向恢复时间trr要小。
(2)正向压降小，即要求VF小，以减小导通状态下的功耗。
(3)反向漏电流Ir小，以减小关断状态下功耗。
(4)反向峰值电流小，以减小二极管反向电流对控制功率电路中其他开关器件的影响；
MPSC2N75U120快恢复二极管模块封装外形
由于电流密度大的地方主要出现在器件电场较强处，所以，本文主要考察器件PN-结及N-N+结处的**电流密度值。另外，PN-结处的雪崩击穿是一种门限制的稳定的负反馈机制，而N-N+结处的动态雪崩是一种不稳定的正反馈机制。因此，器件的损坏主要是山N-N+结处的情况决定，因此，尽管作为诱因的PN-结处的**电流密度也需要适当考虑，但还是主要将后者作为判断FRD抗ESD能力的标准。
通过仿真发现，FRD在经历ESD时，在初始的几纳秒内(小于5ns)，器件内部**电流密度(Jmax)起伏很大，有一个上冲和回落的过程，但在随后的时间内，较平稳的下降，这种平稳的下降应该是与其总电流的线性下降相关的，例如图6-1为参考结构Ref在PN-结及N-N+结处**电流密度随时间的变化图。