海飞乐乐技术有限公司，定做、销售各种封装、型号、参数快恢复二极管、肖特基二极管、MOS管。可封装完美替换大卫快恢复二极管MPSC2N125U120。关于更多快恢复二极管的相关信息请联系：吴小姐 15712055037
当前全球分立器件市场总体保持稳步向上，而亚洲地区特别是中国市场表现犹为显眼。虽然受金融危机和行业周期性调整的影响，半导体分立器件行业市场发展处于低迷时期，但前景依然美好。从发展趋势看，无论是全球还是中国，分立器件在电子信息产品制造业中销售额度所占比例正在逐步下降，分立器件产量和产值的增长速率要低于整机系统的增长速率。另一方面，整机系统的**发展，也为分立器件行业提供了新的市场商机。特别是全球电子整机对节能、环保需求的不断增长，这一方面带动了分立器件产品的需求增长，另一方面也带动了市场产品结构的**升级。整机系统进一步向小型化、集成化方向发展的趋势，对分立器件也提出了新的要求，片式贴装器件已经成为行业发展的主流。中国企业要想在未来市场中竞争中掌握主动权，必须加强原始创新、集成创新和引进消化吸收再创新。
对于这个快恢复二极管来说，它的内部所具有的结构跟普通的PN结二极管是有着不同的区别的。这个快恢复二极管是PIN结型的二极管类型，也就是说在P型的硅材料跟N型的硅材料里面，增加了一个基区I，这样就构成了PIN硅片。由于基区是相对比较薄的，所以相应的反向恢复的电荷还是相对较小的。我们从上面的介绍知道，快恢复二极管具有很短的反向恢复时间，它的正向压降还是比较低的，相应的反向击穿电压还是比较高的。
反向击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结**性损坏。
美格纳快恢复二极管MPSC2N125U120现货参数价格资料
价格：1
**连续正向电流 120A
二极管配置 隔离式
每片芯片元件数目 2
峰值反向重复电压 1200V
安装类型 面板安装
封装类型 SOT-227
二极管类型 硅结型
峰值正向电压 2.8V
引脚数目 4
长度 38.5mm
宽度 25.2mm
高度 9.8mm
峰值反向回复时间 110ns
**高工作温度 +150 °C
**工作温度 -40 °C
峰值非重复正向浪涌电流 840A
峰值反向电流 1mA
尺寸 38.5 x 25.2 x 9.8mm
同系列产品：MPJC2CA150U40 MPJC2CA100U60 MPJC2CA150U60 MPKB2CA100U60 MPKB2CB100U60 MPKB2SA100U120 MPKB2SB100U120 MPKC2CA150U60 MPKC2CA200U60 MPKC2CB200U60
应用领域：
适用于开关电源AC/DC、逆变电源、UPS/EPS电源、 电焊机、特种电源、马达驱动等。
构造分类
半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：
点接触型
点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。
面接触型
面接触型或称面积型二极管的PN结是用合金法或扩散法做成的，由于这种二极管的PN结面积大，可承受较大电流，但极间电容也大。这类器件适用于整流，而不宜用于高频率电路中。
平面型
在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。**初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
快恢复二极管常规检测方法
在业余条件下，利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以兆欧表，还能测量反向击穿电压。实例：测量一只C90-02超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同图(a)。将500型万用表拨至R×1档，读出正向电阻为6.4Ω，n′=19.5格；反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。
当前全球分立器件市场总体保持稳步向上，而亚洲地区特别是中国市场表现犹为显眼。虽然受金融危机和行业周期性调整的影响，半导体分立器件行业市场发展处于低迷时期，但前景依然美好。从发展趋势看，无论是全球还是中国，分立器件在电子信息产品制造业中销售额度所占比例正在逐步下降，分立器件产量和产值的增长速率要低于整机系统的增长速率。另一方面，整机系统的**发展，也为分立器件行业提供了新的市场商机。特别是全球电子整机对节能、环保需求的不断增长，这一方面带动了分立器件产品的需求增长，另一方面也带动了市场产品结构的**升级。整机系统进一步向小型化、集成化方向发展的趋势，对分立器件也提出了新的要求，片式贴装器件已经成为行业发展的主流。中国企业要想在未来市场中竞争中掌握主动权，必须加强原始创新、集成创新和引进消化吸收再创新。
对于这个快恢复二极管来说，它的内部所具有的结构跟普通的PN结二极管是有着不同的区别的。这个快恢复二极管是PIN结型的二极管类型，也就是说在P型的硅材料跟N型的硅材料里面，增加了一个基区I，这样就构成了PIN硅片。由于基区是相对比较薄的，所以相应的反向恢复的电荷还是相对较小的。我们从上面的介绍知道，快恢复二极管具有很短的反向恢复时间，它的正向压降还是比较低的，相应的反向击穿电压还是比较高的。
反向击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结**性损坏。
美格纳快恢复二极管MPSC2N125U120现货参数价格资料
价格：1
**连续正向电流 120A
二极管配置 隔离式
每片芯片元件数目 2
峰值反向重复电压 1200V
安装类型 面板安装
封装类型 SOT-227
二极管类型 硅结型
峰值正向电压 2.8V
引脚数目 4
长度 38.5mm
宽度 25.2mm
高度 9.8mm
峰值反向回复时间 110ns
**高工作温度 +150 °C
**工作温度 -40 °C
峰值非重复正向浪涌电流 840A
峰值反向电流 1mA
尺寸 38.5 x 25.2 x 9.8mm
同系列产品：MPJC2CA150U40 MPJC2CA100U60 MPJC2CA150U60 MPKB2CA100U60 MPKB2CB100U60 MPKB2SA100U120 MPKB2SB100U120 MPKC2CA150U60 MPKC2CA200U60 MPKC2CB200U60
应用领域：
适用于开关电源AC/DC、逆变电源、UPS/EPS电源、 电焊机、特种电源、马达驱动等。
构造分类
半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：
点接触型
点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。
面接触型
面接触型或称面积型二极管的PN结是用合金法或扩散法做成的，由于这种二极管的PN结面积大，可承受较大电流，但极间电容也大。这类器件适用于整流，而不宜用于高频率电路中。
平面型
在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。**初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
快恢复二极管常规检测方法
在业余条件下，利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以兆欧表，还能测量反向击穿电压。实例：测量一只C90-02超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同图(a)。将500型万用表拨至R×1档，读出正向电阻为6.4Ω，n′=19.5格；反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。