海飞乐技术MOS模块现货替换APT20M11JVFR。
海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！跟双极性晶体管相比，普通以为使MOS管导通不需求电流，只需GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需求速度。在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，理论上就是对电容的充放电。对电容的充电需求一个电流，由于对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时**要留意的是可提供瞬间短路电流的大小。第二留意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需求是栅极电压大于源极电压。
APT20M11JVFR产品特点：
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感
APT20M11JVFR产品主要应用：电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。
MOS模块APT20M11JVFR现货参数
产品种类: 分立半导体模块
RoHS: 符合
产品: Power MOSFET Modules
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
**小工作温度: - 55 C
**工作温度: + 150 C
封装: Tube
配置: Single
高度: 9.6 mm
长度: 38.2 mm
宽度: 25.4 mm
商标: Microchip / Microsemi
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
下降时间: 10 ns
Id-连续漏极电流: 175 A
Pd-功率耗散: 700 W
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 11 mOhms
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 1
子类别: Discrete Semiconductor Modules
商标名: POWER MOS V, ISOTOP
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
单位重量: 30 g
SOA失效的预防措施：
1：确保在**差条件下，MOSFET的所有功率限制条件均在SOA限制线以内。
2：将OCP功能一定要做**细致。
在进行OCP点设计时，一般可能会取1.1-1.5倍电流余量的工程师居多，然后就根据IC的保护电压比如0.7V开始调试RSENSE电阻。有些有经验的人会将检测延迟时间、CISS对OCP实际的影响考虑在内。但是此时有个更值得关注的参数，那就是MOSFET的Td(off)。
电流波形在快到电流尖峰时，有个下跌，这个下跌点后又有一段的上升时间，这段时间其本质就是IC在检测到过流信号执行关断后，MOSFET本身也开始执行关断，但是由于器件本身的关断延迟，因此电流会有个二次上升平台，如果二次上升平台过大，那么在变压器余量设计不足时，就极有可能产生磁饱和的一个电流冲击或者电流超器件规格的一个失效。