海飞乐技术MOS模块现货替换APT20M11JFLL。
海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！MOS管关于整个供电系统起着稳压的作用，但是MOS管不能单独运用，它必需和电感线圈、电容等共同组成的滤波稳压电路，才干发挥充沛它的优势。
主板上的PWM芯片产生一个宽度可调的脉冲波形，这样能够使两只MOS管轮番导通。当负载两端的电压(如CPU需求的电压)要降低时，这时MOS管的开关作用开端生效，外部电源对电感停止充电并到达所需的额定电压。当负载两端的电压升高时，经过MOS管的开关作用，外部电源供电断开，电感释放出方才充入的能量，这时的电感就变成了“电源”，继续对负载供电。随着电感上存储能量的不时耗费，负载两端的电压又开端逐步降低，外部电源经过MOS管的开关作用又要充电。这样循环不时地停止充电和放电的过程，从而构成一种稳定的电压，**使负载两端的电压不会升高也不会降低。
APT20M11JFLL产品特点：
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感
APT20M11JFLL产品主要应用：电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。
MOS的主要特点是：
- 采用QFN56无脚封装，热阻抗很低。
- 采用内部引线键合以及铜夹带设计，尽量减少外部PCB布线，从而降低电感和电阻。
- 采用**的深沟道硅(trench silicon)MOSFET工艺，显著降低传导、开关和栅极电荷损耗。
- 兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持APS（Auto Phase Switching）。
- 针对目标应用进行设计的高度优化。
分析升压转换器中采用传统的TO247封装的MOSFET
A.开关瞬态下的MOSFET操作时序
要分析**开关MOSFET中的封装寄生电感产生的影响，必须十分理解MOSFET工作处理。硬开关关断通常出现在硬开关拓扑和零电压开关拓扑中。本小节将逐步分析MOSFET关断瞬态操作。图1所示为硬开关关断瞬态下，理想MOSFET的工作波形和工作顺序。
当驱动器发出关断信号后，即开始阶段1 [t=t1]操作，栅极与源极之间的MOSFET电容器Cgs将开始放电。此时，MOSFET阻断特性保持不变。这个t1阶段被称为延时，它表征着MOSFET的响应时间。当MOSFET栅源电压Vgs达到栅极平台电压Vgs(Miller)时，这个阶段便告结束。
当Vgs与Vgs(Miller)相等之后，将进入阶段2 [t=t2]，在此期间，其电压水平将保持不变。负载电流将对漏极与源极之间的MOSFET电容器Cds进行充电，以重建空间电荷区。这个阶段将一直持续至MOSFET漏源电压Vds达到电路输出电压时为止。
阶段3 [t=t3]，Cgs将继续放电。漏电流Id和Vgs开始线性下降，阻断MOSFET导通通道。当Vgs与栅极阈值电压Vgs(th)相等，并且Id变为零时，这个阶段即结束。这个阶段结束后，MOSFET将完全关断。
阶段4 [t=t4]，栅极驱动对Cgs持续放电，直至Vgs电压水平变为零。