海飞乐技术MOS模块现货替换APT10045JFLL。
海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！**的MOS管可以接受的电流峰值更高。普通状况下我们要判别主板上MOS管的质量上下，能够看它能接受的**电流值。影响MOS管质量上下的参数十分多，像极端电流、极端电压等。但在MOS管上无法标注这么多参数，所以在MOS管外表普通只标注了产品的型号，我们能够依据该型号上网查找详细的性能参数。 还要阐明的是，温度也是MOS管一个十分重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的进步，MOS管需求接受的电流也随着加强，提供近百A的电流曾经很常见了。如此宏大的电流经过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的平安，高质量主板也开端为MOS管加装散热片了。
APT10045JFLL产品特点：
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感
APT10045JFLL产品主要应用：电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。
MOS模块APT10045JFLL技术参数
制造商: Microchip
产品种类: 分立半导体模块
RoHS: 详细信息
产品: Power MOSFET Modules
类型: MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
**小工作温度: - 55 C
**工作温度: + 150 C
封装: Bulk
配置: Single
商标: Microchip / Microsemi
晶体管极性: N-Channel
下降时间: 8 ns
Id-连续漏极电流: 21 A
工作电源电压: 670 V
Pd-功率耗散: 460 W
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 460 mOhms
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 1
子类别: Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
Vds-漏源极击穿电压: 1000 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
单位重量: 30 g
功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层的外延层epi厚度N-决定。功率MOSFET的N+源极和P-体区形成的结通过金属物短路，从而避免寄生三极管的意外导通。当栅极没有加驱动电压时，功率MOSFET通过反向偏置的P-体区和N-的epi层形成的PN结承受高的漏极电压。在高压器件中绝大部分电压由低掺杂的epi层来承受：厚的、低掺杂的epi层可以承受更高的击穿耐压，但是增加了导通电阻。
在低压器件中，P-体区掺杂程度和N-的epi层差不多，也可以承受电压。如果P-体区的厚度不够，高掺杂太高，耗尽区可以由通孔达到N源极区，从而降低了击穿电压值。如果P-体区的厚度太大，高掺杂不够，沟道的电阻和阈值电压将增大。因此需要仔细的设计P-体区、epi掺杂和厚度以优化其性能。
在MOSFET数据表中标有测试条件，当测试条件不同时，结果会不同，如下图所示，标出了5个不同的产品的测试条件。标明测试条件的原因在于，当不同的操作者在不同的时间进行测试时，结果是可以重复的，这也是研发工程师编写测试结果和报告的时候，一个**基本的要求。