海飞乐技术MOS模块现货替换APT10026JFLL。
海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此MOS管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
在一般电子电路中，通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。
APT10026JFLL产品特点：
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感
APT10026JFLL产品主要应用：电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。
COTR和COER不仅互不相同，而且它们之间差异的程度可作为测量非线性的指标。在我们的例子中，1.5:0.5的电容范围会在COTR与COER之间产生16.7％的差异。对于SiHP15N60E而言，相同的COTR/COER比率几乎是3.6。对于其他超结器件，电容范围可能宽于100:1，而且COTR/COER之比可能高于10。图4a突出了SiHP15N60E中存储电荷与能量之间的差异。作为电压的函数，这两个相关参数的变化率有着显著不同。超大COTR以及由此所隐含的超大总存储电荷，需要在所有的桥配置中加以考虑，尤其是那些运行在ZVS模式下的配置。对MOSFET的输出电容放电与对其进行消能（de-energizing）是不太一样的，应当根据COTR进行设计计算，而不应当根据COER。当然，COER和能量对于计算开关损耗仍然是需要的（参考文献[3]）。
现在应该很清楚了，COSS在任何电压下的**值不再有什么意义。用户也不再需要它。它本身不是与电路相互作用的电容，而是定义该行为的存储电荷和能量。如果你考察任何涉及COSS的设计计算，你将会发现，在某种地方，它通过与相关电压因子相乘而被转化为存储电荷或能量。为了进一步帮助系统设计人员，包括Vishay在内的一些MOSFET制造商目前已经在其高电压产品资料中除了提供COTR和COER之外，还提供完整的EOSS曲线，如图4b所示。对于100V MOSFET，通常把QOSS规定在50％，以帮助在48V ZVS桥接线路中进行死区时间分析。