海飞乐技术MOS模块现货替换APT8020JLL。
海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！MOS管**显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。而且由MOS管构成的CMOS传感器为相机提供了越来越高的画质，成就了更多的“摄影家”。
MOS模块APT8020JLL现货参数
制造商: Microchip
产品种类: 分立半导体模块
RoHS: 符合
产品: Power MOSFET Modules
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
**小工作温度: - 55 C
**工作温度: + 150 C
封装: Tube
配置: Single
高度: 9.6 mm
长度: 38.2 mm
宽度: 25.4 mm
商标: Microchip / Microsemi
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
下降时间: 10 ns
Id-连续漏极电流: 33 A
Pd-功率耗散: 520 W
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 1
子类别: Discrete Semiconductor Modules
商标名: POWER MOS 7, ISOTOP
典型关闭延迟时间: 39 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
单位重量: 30 g
APT8020JLL产品特点：
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感
APT8020JLL产品主要应用：电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。
MOS管的防静电使用技巧
一般在MOS管的使用过程中都非常注意防静电破坏。MOSFET 的栅极-源极间**额定电压约为±20V,如果驱动电压超出这个范围,就很有可能**损坏MOSFET,主要是因为MOSFET 输入阻抗大特点,电荷不能及时的流走,积聚在门极(G),就会造成Vgs大于这个±20V 的范围,这时候MOSFET 就可能损坏。这就是为什么一定不准用手去摸MOSFET 的引脚的原因,手上的静电高达千伏,MOSFET 一下子就被击穿了。
记住,不要用手拿住MOSFET 的腿,不然可很不专业。为了防止MOSFET 被静电破坏,大家也是费尽脑汁,除了严格按照规章制度外,带上放电手套,电烙铁接地等等都是必要的。
静电问题往往是MOSFET 的薄弱处。在电路设计中应该怎么来保护MOSFET 呢?既然Vgs 不能大于20V,那我们就可以在G 和S 之间,加一个20V的稳压管,来防止干扰脉冲或是静电破坏MOSFET。