海飞乐技术MOS模块现货替换APT6015JVFR。
海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！碳化硅MOSFET是具有代表性的碳化硅功率器件，其高频、高效、高温的特性特别适合对效率或温度要求严苛的应用。相比于传统的硅基IGBT，碳化硅MOSFET可带来一系列系统级优化，包括提高效率、提升功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本，可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。
基本半导体掌握了国际**的碳化硅研发技术，致力于碳化硅功率器件的研发与产业化。1200V碳化硅MOSFET是基本半导体发布的第二款重量级产品，**产品3D SiC™系列碳化硅肖特基二极管已于2018年3月上市，产品推出后获得众多客户认可。此次发布的碳化硅MOSFET是**款由中国企业自主设计并通过可靠性测试的工业级产品。
基本半导体1200V 碳化硅MOSFET采用平面栅工艺和元胞镇流电阻设计，具有导通电阻低、温度特性优良和开启电压较高等特点，产品性能优越。其中短路耐受时间长达6μs，阈值电压Vth≥2.9V(25℃)，目前产品已通过多家客户的测试认证，进入批量供应阶段。
APT6015JVFR产品特点：
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感
APT6015JVFR产品主要应用：电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。
与MOSFET相关的三个电容的基本定义如图1a和1b所示。以VDS的函数的方式测量这些电容并不是一件直截了当的工作，在此过程中需要它们中的某些被短路或开路（left floating）。产品资料中**后测量和给出的如下定义的三个值：
CISS = CGS + CGD
COSS = CDS + CDG
CRSS = CGD
在这三个数值中，输入电容CGS是非线性程度**的。它是栅极结构和源极之间的电容，并且不太作为VDS的函数而变化。另一方面，CGD是极端非线性的，对于超结器件而言，在**个100V内变化范围几乎达到三个数量级。它也有助于在VDS=0时所看到的对于CISS的微小步长。
**近，很多人有兴趣了解COSS的特性以及它对高频开关的影响。这有几个原因，例如，COSS存储的电荷和损耗已经成为实现高频AC-DC转换器的**挑战。一般来说，任何与电容相关的损耗都与所施加电压的平方成正比。正如文献[3]中指出的那样，相同的电容器在550V时的储存能量和损耗比12V时高2100倍。随着人们日益关注降低RDSON，导通损耗已经显著下降，但是COSS并没有成比例下降。例如，在早些时候，600V MOSFET在TO-220时的**RDSON曾经是340mΩ。而现在，该数值在600V超结器件中已经下降至65mΩ。对于电容而言，在不同的技术之间比较具有相似RDSON值的器件更有意义。图2比较了两种器件的电容：一个是SiHP17N60D，它是一种平面器件；另一个是SiHP15N60E，它是一种超结MOSFET，具有接近但略低的RDSON。请注意，这些数值是以对数刻度绘制的。对于超结器件，COSS在100V时已经从136pF降低到67pF，但它也变得更加非线性。在平面器件中，COSS在VDS=0V与100V时比率为25:1，但现在已经上升三倍达到75:1。在VDS=0时，COSS值大于输入电容CISS的情况并不少见。