海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！
MOS管的导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
APT8015JVR产品特点：
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感
APT8015JVR产品主要应用：电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。
NOMS工作在饱和区时为一个压控电流源
在MOSFET理解与应用：Lec 3—你真的理解夹断效应吗？中我讲过，当NMOS工作在饱和区（V_DS>V_GS-V_TH）时，流过沟道的电流I_D与(V_GS-V_TH)^2成正比，与V_DS无关，此时，MOS管可以看成是一个受V_GS控制的电流源。如下图。记住，NMOS作为放大器时一定是工作在饱和区的。
所以，工作在饱和区的NMOS的等效电路为：
利用NOMS的等效电路构建我们的放大电路，如图Fig. 4，其中，MOS管的栅极为信号V_in的输入端，MOS管的漏极作为信号V_out输出端；VCC为供电电源，作用是为了满足V_DS>V_GS-V_TH这个饱和区工作条件；R_L的作用和Fig.1中的R_L作用一样，是为了将电流转换正电压输出。
② NMOS不是一个线性的受控电流源，放大信号会失真，怎么办？
Fig.1 中的压控电流源电流为kV_1，这才是一个线性受控源。而NMOS的电流I_D与(V_GS-V_TH)^2成正比，如图Fig. 4。这就导致当输入信号较大时，放大倍数大，当输入信号小时，放大倍数小。信号波形放大后就会失真。
那我们怎么办呢？其实到目前为止，我们没有什么很好的办法，只能约束输入条件，只有当输入的信号足够小时，才能认为这个放大器是线性放大。
如图Fig. 5，当Vin的范围非常小时，V-I曲线可以看成是直线。我们可以根据之前得到的I_D和V_GS的表达式，求导就可以求出曲线的斜率g_m。
所以，如图Fig. 6，V_in = V_0+v_in，其中，V_0为一个直流偏压，v_in为我们的小信号输入，当它特别小时，I_D = I_D0+g_m * v_in，g_m为V-I曲线的斜率，和放大倍数直接相关，具体什么关系呢？我们下期讲解小信号电路模型的时候详细介绍。