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快恢复二极管 肖特基二极管 MOS管 IGBT单管

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快恢复二极管、快恢复模块封装厂家定做

发布时间:2016-10-10 12:00:41       返回列表
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    海飞乐快恢复模块
快恢复模块
  快恢复二极管FRD(Fast Recovery Diode)是近年来问世的新型半导体器件,快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。它具有开关特性好,反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD(Superfast Recovery Diode),则是在快恢复二极管基础上发展而成的,其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间断电源(UPS)、交流电动机变频调速(VVVF)、高频加热等装置中,作高频、大电流的续流二极管或整流管,是极有发展前途的电力、电子半导体器件。 
 
  1.性能特点
  1)反向恢复时间
  反向恢复时间tr的定义是:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流,IRM为**反向恢复电流。
  Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,因此正向电流迅速降低,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR逐渐增大;在t=t2时刻达到**反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。

  2)快恢复、超快恢复二极管的结构特点
  快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。
  20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种。对管内部包含两只快恢复二极管,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。
  
  快恢复二极管:
  可理解为**二极管,高频二极管,通常用在开关电源做整流二极管,逆变电路做续流、反压吸收二极管。
  二极管是单PN结半导体器件,具有单向导电特性,当施加正向电压时导通、反向电压时截止。当电压翻转,二极管从正向导电转换为反向截止状态需要一段时间才能完成,这段时间称为反向恢复时间。
  根据芯片工艺不同,反向恢复时间也不同,通常分为四大类:
  1、普通整流二极管,反向恢复时间大于 500nS(纳秒);
  2、快恢复整流二极管,反向恢复时间 150-500nS(纳秒);
  3、高效率整流二极管,反向恢复时间 50-100nS(纳秒);
  4、超**整流二极管,反向恢复时间 15-35nS(纳秒);
  5、肖特基整流二极管,理论上无反向恢复时间,实际小于 10nS(纳秒)。

快恢复二极管、快恢复模块封装厂家定做

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